SK실트론

SiC晶圆定位领域

碳化硅(SiC)晶圆和外延的独特特性提供了在更高功率下更快切换的好处
以及提高能源效率，通常消除昂贵的冷却系统，提高性能。

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  运输

  减少尺寸和重量
  电源模块，同时可能增加
  车辆的加速度、行驶距离和/或速度，
  节省更多的电池
  (混合动力或电动汽车，牵引逆变器
  电机系统变速驱动器)

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  工业

  新一代工业
  电机控制和电源供应
  (功率因数校正和
  不间断电源)

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  能源

  提高效率
  太阳能逆变器的性能
  风力涡轮机的设计，以及
  提供基本的建筑
  新兴智能电网的街区
  (光伏逆变器)

碳化硅晶片组合

4H，离轴4°，n型SiC晶圆(基片)

抛光硅片是由高纯碳化硅晶体经物理气相输送加工而成的薄圆盘状单晶碳化硅产品，经切片、抛光和清洗后制成。它的直径为100mm和150mm，用于制造高功率电子器件，如二极管，mosfet。

SiC外延片(n型或p型)

外延晶片是在抛光的晶片上添加多微米厚的单晶碳化硅。精确控制厚度、掺杂(载流子浓度)和缺陷密度是实现半导体制造设备高产出功率器件的必要条件。epi产品的范围包括单层或多层n型和p型外延。

黄金级组合

SK Siltron CSS的100mm和150mm Prime级组合中的所有SiC晶圆都提供了一贯出色的机械性能
确保与现有和正在开发的设备制造工艺的兼容性。

当设计更简单的SiC功率电子元件时，如低至中电流额定值的肖特基或结势栅肖特基二极管，SiC晶片为平衡性能和成本提供了一个有吸引力的选择。

- 100mm: MPD(≤0.5 cm)^－２)、EPD(≤12,000厘米^－２)、TED(≤9,000厘米^－２)、TSD(≤1,000 cm^－２)、BPD(≤2,000厘米^－２）

- 150mm: MPD(≤1.0 cm)^－２)、EPD(≤15,000厘米^－２)、TED(≤10000厘米^－２)、TSD(≤3,000 cm^－２)、BPD(≤5000厘米^－２）

碳化硅晶片提供了更严格的缺陷公差，使其适合于要求更高的碳化硅器件，如引脚二极管或开关，以及金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。

- 100mm: MPD(≤0.2 cm)^－２)、EPD(≤10,000厘米^－２)、TED(≤8000厘米^－２)、TSD(≤800 cm^－２)、BPD(≤1500厘米^－２）

- 150mm: MPD(≤0.5 cm)^－２)、EPD(≤12,000厘米^－２)、TED(≤9,000厘米^－２)、TSD(≤500 cm^－２)、BPD(≤4000厘米^－２）

SiC晶片提供了最低的缺陷密度和更紧的晶片电阻率分布，用于当今最先进的大功率SiC电子器件的设计，包括mosfet结场效应晶体管(jfet)和双极结晶体管(bts)。此外，优异的衬底质量有利于高电压(3.3 kV及以上)和大电流器件的设计。

- 100mm: MPD(≤0.1厘米^－２)、EPD(≤8,000厘米^－２)、TED(≤6000厘米^－２)、TSD(≤500 cm^－２)、BPD(≤1,000厘米^－２）

- 150mm: MPD(≤0.3 cm^－２)、EPD(≤9,000厘米^－２)、TED(≤8000厘米^－２)、TSD(≤400 cm^－２)、BPD(≤3,000厘米^－２）