光刻材料和服务

计量和成像服务

缺陷测试的平版成像服务和计量

我们的工厂可以帮助您的影像和计量项目

让我们谈谈我们的工厂技术专家如何帮助您的光刻项目。除了提供光刻材料如有先进的光刻成像和计量设备,我们可以帮助您的工作流程的其他方面。可用的服务包括测量,缺陷测试,工艺设计或提供图案晶片。

我们的Fabs拥有G-Line和I-Line Liptography的一系列工具到ARF浸入式光刻,并更好地支持客户和半导体行业,我们现在能够使这些用于定制或批量测试。测试可以一次性或长期作为经常性事件完成。我们还有一套完整的计量工具,可以与在我们的设施或从现场成像的晶片上执行的平版影像一起使用。我们的专家也可以帮助开发新的平版过程,我们可以作为过程设计或项目的一部分提供光刻材料(如光致抗蚀剂,防反射涂层和辅助物)。

继续阅读以查看平版图像的类型可用的和计量工具,以及我们可以提供的服务示例。即使在这里未列出,请随时与我们联系我们。

  • 以下示例显示了我们可以使用我们的设备的工作类型:

    • CD测量:针对您为图案化ARF抗蚀剂晶圆指定的功能的CDS的测量,包括数据分析和摘要报告。
    • ARF成像晶片:使用我们的光致抗蚀剂,抗反射涂层和顶层涂层产品使用浸泡ARF条件进行图案化的晶片成像。
    • 缺陷分析:用于图案化晶片的测量,审查和缺陷分析(包括EDX)。
    • 过程开发:根据您的设计要求,使用我们的抗蚀剂和辅助的新图案化过程的开发。使用您的生产晶片进行过程测试。
    • 材料筛选:样品材料的涂层和ARF图案评估,包括测试结果和数据的摘要。

    这些示例代表我们可以提供的服务类型的小型采样。光刻成像和计量通常是根据项目需求所确定的定制设计,因此请随时与我们联系以讨论您的特定项目需求。

  • 技术

    晶片尺寸(mm)

    能力

    ARF(193nm浸没)

    300

    外套和模式

    ARF(193nm干)

    200.

    外套和模式

    KRF(248nm)

    200.

    外套和模式

    I-LINE(365nm)

    200.

    外套和模式

    I-LINE(365nm)

    100.

    外套和洪水曝光

    宽带

    200.

    外套和模式

    宽带

    100.

    外套和洪水曝光

    G-LINE(436nm)

    100.

    外套和模式

  • 计量

    晶片尺寸(mm)

    描述

    薄膜测量

    100/200/300.

    光学参数

    临界维扫描
    电子显微镜(CD-SEM)

    200/300

    CD测量

    缺陷

    200/300

    薄膜缺陷检测工具,
    图案缺陷检测工具,
    缺陷审查工具,
    扫描电子显微镜

    扫描电子显微镜

    全部

    扫描电子显微镜,
    横截面图像

    扫描电子显微镜

    100/150/200

    上下,X射线,
    回到散射,
    缺陷审查

  • 能力

    晶片尺寸(mm)

    工具集

    溶解率

    100/150

    单点DRM激光器,GCA,DNS

    光密度

    100.

    UV-Vis,GCA

    莳萝

    10.

    洪水曝光工具,UV-Vis,GCA

联系我们

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