杜邦电子与成像公司介绍了三种用于先进半导体制造的新型清洁化学物质

杜邦的EKC技术组合扩展了新的配方，用于cmp后清洗和蚀刻后残留物清除

加利福尼亚州海沃德，2019年6月27日-杜邦电子和成像今天宣布了三种支持先进半导体制造的新化学物质:杜邦™EKC™PCMP2110清洁剂，EKC™PCMP3210清洁剂和EKC™590 CuSolve™remover。

杜邦的EKC技术集团开发用于半导体制造过程中精密清洗和表面准备的材料，包括线前和线后端的晶圆加工、封装和组装。EKC清洁组合的这些新扩展解决了与先进技术节点流程相关的许多复杂挑战，其中流程步骤的数量增加了。EKC™PCMP2110和EKC™PCMP3210是用于化学后机械平整(CMP)清洗的新化学产品，而EKC™590 CuSolve™是用于蚀蚀后残留物清除的新产品。

EKC™PCMP2110是三种新技术中最新的一种，适用于使用二氧化铈基泥浆的新兴逻辑和内存CMP工艺。在高级节点，由于对氧化铈CMP的去除率要求越来越高，且氧化铈颗粒尺寸较小，因此对其进行清洗具有挑战性。EKC™PCMP2110提供了更好的后cmp (PCMP)清洁性能比今天市场上使用的专用清洁，同时也使其有可能消除后湿工作台商品清洁步骤，如硫酸过氧化混合物(SPM)或硫酸。

EKC™PCMP3210是杜邦公司第一个提供的钨PCMP，设计用于sub 14nm FinFet逻辑。与碱性配方中的钨兼容，EKC™PCMP3210有效清洁CMP后的介质层(如氮化硅和TEOS)，在非常严格的规格内防止腐蚀。EKC™PCMP3210已经被许多制造商在先进节点上采用。

杜邦电子与成像EKC业务总监Douglas Holmes表示:“随着客户转向内存和逻辑的高级节点流程，CMP步骤的数量增加，高效的在线清洗变得更加关键。”“随着我们两款最新的PCMP产品的推出，我们可以帮助我们的客户降低整个过程的复杂性，并保护晶圆的产量。”

EKC™590 CuSolve™是第一款商业蚀刻后清洁产品，用于在7nm及以上节点上创建铜互连。杜邦的去除化学技术可以在一个高效的步骤中消除反应离子蚀刻(RIE)残留物和蚀刻过程中使用的氮化钛掩模的残留物，同时也可以蚀刻氮化铝来填充铜金属。EKC™590兼容铜和钴，也向后兼容成熟的技术节点。

杜邦电子与成像去除化学研发总监Robert Auger博士说:“使用EKC™590，客户可以在一个简单的快速步骤中去除氮化钛硬膜和rie后残留，蚀刻氮化铝并完成原位清洗。”“我们很高兴为客户提供第一个上市的7纳米节点清洁解决方案，使他们能够创建高度可靠的铜互连。”

三款新产品均可在全球范围内进行取样。有兴趣的客户应联系他们的客户代表以了解更多信息。

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