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电子邮件经生产验证的通过硅通过化学满足高纵横比的要求
多年电镀大马士革铜的经验和成功帮助杜邦电子与成像将领先的铜通过硅(TSV)化学带入先进的包装市场。我们经过生产验证的三组分铜解决方案，甚至可以实现最具挑战性的TSV纵横比，原因如下:
- 高纯铜
- 自底向上填充时无间隙性能
- 快速镀速度
- 铜覆盖层的消除
随着tsv成为用于内存堆叠、CMOS图像传感器、MEMS设备和2.5D插入器架构的主流互连技术，杜邦仍然处于前沿，优化产品以满足tsv不断变化的需求。
产品线
- 连环™9200铜
- 什么是TSV科技?
通过硅通道(tsv)是垂直的电气互连，通过晶片蚀刻工艺形成，并填充铜或钨。tsv首先被引入到化合物半导体应用中，还被用于MEMS设备和CMOS图像传感器，以创建3D存储堆栈和2.5D插入器架构，这是由高性能计算需求驱动的。
- 高纵横比通孔用铜
我们用于TSV生产的Cu化学物质旨在满足前缘TSV的要求，其纵横比为10:1。这就要求高纯度，无空隙的快速电镀，无缝隙的自底向上填充，最小的铜覆盖层，以减少对化学机械平化工艺的需要。
- 我们的半导体封装产品组合
杜邦为半导体行业提供完整的封装和组装材料组合。点击这里观看我们全面产品的短视频。
半导体封装材料
- 通过硅通过铜
通过硅通过铜
多年电镀大马士革铜的经验和成功帮助杜邦将领先的铜TSV化学带到先进的包装市场。
- 镀铜柱
镀铜柱
- 撞击焊镀
撞击焊镀
- 撞下金属化
撞下金属化
- 撞镀光阻
- 铜层重新分配
铜层重新分配
- 包装电介质
包装电介质