推特
linkedin.
电子邮件AR™254热交叉连接底部抗反射剂
AR™254是248nm（KRF）光致抗蚀剂的有机，热交联底部抗反射剂。它具有出色的间隙填充和平坦化特性，这是具有FinFET结构的先进半导体器件的关键要求。AR™254具有高蚀刻速率，以降低基板损坏和最佳光学参数以最小化反射率。
特征
- 在极窄的沟槽处有良好的空隙填充性能
- 优异的平面化性能，可在不同密度的图案上减少厚度间隙
- 高蚀刻速率，以最小化蚀刻偏置和基板损坏
- 最佳n＆k值
好处
- 优异的抗蚀剂CD和轮廓控制在地形上
- 减少因高刻蚀率造成的基材损伤
- 增加过程保证金
图1:优异的间隙填充10 nm沟槽
|
聚合物 |
腐蚀率 O2 /基于“增大化现实”技术 |
|---|---|
|
KRF抗拒 |
0.45 |
|
传统KrF巴克 |
0.60 |
|
AR™254. |
1.31 |
图2:快速蚀刻速度
|
|
焦点偏移 |
|
|---|---|---|
|
+ 0.15和 |
+ 0.05um最佳焦点 |
-0.05嗯 |
|
|
|
图3.：AR™254上的优异抗蚀剂曲线