抗反射剂和功能性子层

AR™快速蚀刻有机底部抗反射涂层

AR™快速蚀刻有机底部抗反射涂层

为高级集成电路(IC)制造提供高分辨率微光刻技术

杜邦公司的有机底部抗反射涂层(barc)是一种交联聚合物,自旋浇铸在晶圆上,用于控制光从晶圆表面反射到其上方的抗反射材料上。杜邦的AR™快速蚀刻有机barc是基于聚合物,其中包含一个发色团,以降低基材的反射率,并包括富氧单体,在图案转移步骤中快速蚀刻。这些产品的快速蚀刻特性和易于去除而不显著损失抗蚀膜厚度是制造先进集成电路的关键。

  • 大大快于有机光刻胶的蚀刻速度

    • 有机BARCs的蚀刻速度比光刻胶快30%,而传统BARCs的蚀刻速度与光刻胶相同。

      • 显著快于真空沉积无机膜的腐蚀速度

    • 杜邦的快速蚀刻技术最大限度地减少了抗蚀剂的消耗,减少了线边缘粗糙度的变化,减少了图案转移后的临界尺寸(CD)变化。

    很容易去除,没有显著损失的抗蚀膜厚度

    • AR™快速蚀刻有机BARCs蚀刻快速在模式转移步骤保持(更薄)的抗蚀厚度,这是更好的分辨率所必需的。

    • 在高成品率和大批量生产中,保持集成电路的图案保真度和电阻图案厚度对良好的电性能至关重要。

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图1所示。Dow AR™快速蚀刻有机BARCs解决了光反射对光刻胶分辨率的负面影响问题。使用快速蚀刻有机BARC减少了从衬底的反射率。

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图2。左边的图像是使用陶氏AR™快速蚀刻有机barc时改进的线宽控制的一个例子。右边的图像显示了一条收缩的线,这是不使用有机BARC时常见的缺陷

图3。这是一个典型模式流程流的说明。陶氏AR™快速蚀刻有机BARCs在反射控制和蚀刻模式转移中发挥着关键作用。