后CMP清洁剂

化学机械平面化（CMP）是先进集成电路制造中的关键促进技术。在后CMP清洁步骤中，随后除去在可能在可能产生不利影响产物产量的平坦化过程中沉积或形成的缺陷和残留物。用于后CMP（PCMP）清洁的水性制剂被设计为保护平面化金属和介质防止金属腐蚀，同时提供平滑的缺陷晶片表面。

杜邦的PCMP产品是我们EKC技术投资组合的一部分。

DUPONT™PCMPSOLV™5600系列后CMP铜互连清洁剂

Dupont™PCMPSOLV™5600系列是高批量，在制造先进的半导体器件中所需的CMP铜互连清洁剂。它具有高pH配方的Cu Beol，可以与各种屏障浆液一起使用。

它提供了以下功能:

• 优异的颗粒去除能力
• 先进的阻挡层金属和介电兼容性，包括Co和Ru
• 兼容ULK电介质
• 改进铜静态蚀刻，降低表面粗糙度
• 含铜氧化屏障(COB)功能
• 优异的去除BTA和其他有机物的能力
• TMAH免费
• 增强了高稀释设计的所有权

PCMPSOLV™5615 / PCMPSOLV™5620提供了一种经过制造验证的，低成本拥有后cmp铜清洁剂，具有铜BEOL的碱性pH配方。这种单一的化学溶液可用于酸性或碱性屏障浆;在铜和低k表面上提供非常低的缺陷;提供与敏感的低k和ULK薄膜增强兼容性;可与具有优良耐腐蚀性能的高级阻隔膜配套使用。PCMPSOLV™5615 / PCMPSOLV™5620提供稀释性的灵活性，以满足所有设备清洁模块的低成本目标。

PCMPSOLV 5615.是一种先进的PCMP配方，大批量生产，低成本拥有后cmp铜清洁剂，具有碱性pH配方铜BEOL。这种单一的化学溶液可用于酸性或碱性屏障浆;在铜和低k表面上提供非常低的缺陷;提供与敏感的低k和ULK薄膜增强兼容性;与Co和Ru的应用兼容，防止圆形环缺陷的形成。PCMPSolv™5615提供了稀释的灵活性，满足所有设备清洗模块的低成本拥有目标。

PCMPSolv™5650是一种先进的PCMP配方，大批量生产，低成本拥有后cmp铜清洁剂，具有碱性pH配方铜BEOL。这种单一的化学溶液可用于酸性或碱性屏障浆;在铜和低k表面上提供非常低的缺陷，提供与敏感的低k和ULK薄膜的增强兼容性，防止环形缺陷的形成，并与Co和Ru应用程序兼容，PCMPSolv™5650是专门为14nm以下的技术而设计的，有机缺陷控制和最低限度的铜和钴腐蚀。PCMPSolv™5650也是一种高浓缩化学品，可满足所有设备清洗模块的低成本拥有目标。

Dupont™PCMPSOLV™3200系列后CMP Tungsten互连清洁剂

Dupont™PCMPSOLV™3200系列高卷，后CMP钨互连清洁剂，用于制造先进的半导体器件，用于BEOL和中端（MEOL）应用。如CO和TIN。

PCMPSolv™3210提供制造经过验证的，低成本的全CMP清洁剂，具有W CMP的碱性pH配方。该单一化学溶液兼容W和CO，并在TEOS或氮化硅膜上提供非常低的缺陷。PCMPSolv™3210还包括溶出剂，用于源自锡屏障的TiO 2碎片。PCMPSOLV™3210提供稀释度的灵活性，以满足所有设备清洁模块的低成本目标。

Dupont™PCMPSOLV™2100系列后半款浆料CMP清洁剂

Dupont™PCMPSOLV™2100是一系列新的清洁剂，专为在使用Ceria CMP浆料，在Feol，Meol和Memory阵列层所需的Ceria CMP浆料中进行清洁。

PCMPSolv™2110提供了一种经过制造验证的、低成本的后cmp清洁剂，具有酸性pH配方，可在氧化铈浆后使用。这种单一的化学溶液设计用于清洁氧化铈浆颗粒，并最大限度地减少cmp后残留的铈离子。它被设计用于传统的二氧化铈浆，以及最新的二氧化铈浆，粒子或正电荷或负电荷。PCMPSolv™2110能够消除cmp后的湿台清洗，如SPM或HF。