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电子邮件Solderon™BP IN 1000铟电镀化学设计用于先进的晶圆级封装的焊接电镀工艺，对温度敏感的新兴应用。它的使用最大限度地减少了衬底的翘曲和应力，并降低了在精密器件中由于显著降低回流温度而损坏材料的可能性。Solderon™BP IN 1000铟达到了优化性能、多功能性和拥有成本要求的平衡。它将Solderon™系列扩展到不能使用SnAg的应用程序。
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光电子键合/组装(多传感CMOS图像传感器、显示器) |
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3D硅晶片堆垛 |
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柔性和/或无芯衬底组装 |
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温度敏感的生物传感器 |
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化合物半导体(III-V材料) |
多功能性
1000个铟中的Solderon™BP服务于传统倒装芯片工艺的C4凸块的各种应用，以使用TSV工艺将Cu柱的覆盖，以及3D堆叠的μbump（图1和2）。它还与主流撞击光致抗蚀剂材料相容，可以直接集成到现有的过程流中。在碰撞和封盖应用期间，它在试验车辆中展示了良好的模具共面性。另外，其低熔点温度也使其成为粘合多层薄层的良好选择。
表现
Solderon™BP IN 1000铟达到低温回流(图3)，峰值温度约180°C(取决于剖面优化)。这比典型的SnAg回流温度低80°C。该材料显示宏观和微观无空隙性能，甚至在多次流后形成各种下凸点金属化材料的可靠互连(图4)。最后，Solderon™BP IN 1000铟提供稳定和一致的性能，在热和电解时效(图5)。
C4撞应用程序
Cu Pillar Capping应用
图1：1000个铟中的Solderon™BP具有多功能的应用，包括多（薄） - 层粘接，C4撞击施加和Cu柱封端。电镀条件:2 ASD, 25°C。
C4撞应用程序
Cu Pillar Capping应用
图2：1000铟中的Solderon™BP可用于各种凸起和支柱尺寸。电镀条件:2 ASD, 25°C。
图3:Solderon™BP IN 1000铟达到低温回流，比SnAg低80°。
焊接™BP在1000铟，多重回流：1x，5x＆10x
图4：1000个铟中的Solderon™BP在多次回流后显示出无效的性能。峰值回流温度。= 180°C。
1000铟焊接™BP的电解老化性能
图5:Solderon™BP IN 1000铟浴性能显示在电解时效和热时效下稳定的电镀性能。电镀条件:2 ASD, 25°C。